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IMW65R027M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R027M1HXKSA1复制
库存编号3500943
产品范围CoolSiC M1
也称为IMW65R027M1H, SP005398440
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|---|---|
| 1+ | CNY113.350 (CNY128.0855) |
| 5+ | CNY91.110 (CNY102.9543) |
| 10+ | CNY68.860 (CNY77.8118) |
| 50+ | CNY65.180 (CNY73.6534) |
| 100+ | CNY61.500 (CNY69.495) |
| 250+ | CNY60.270 (CNY68.1051) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY113.35 (CNY128.09 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R027M1HXKSA1复制
库存编号3500943
产品范围CoolSiC M1
也称为IMW65R027M1H, SP005398440
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续47A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.027ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散189W
工作温度最高值150°C
产品范围CoolSiC M1
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
47A
漏源接通状态电阻
0.027ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
189W
产品范围
CoolSiC M1
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00626