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IMW65R015M2HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R015M2HXKSA1复制
制造商标准货期88 周
库存编号4378737
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMW65R015M2H, SP005917210
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|---|---|
| 1+ | CNY158.130 (CNY178.6869) |
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| 10+ | CNY98.840 (CNY111.6892) |
| 50+ | CNY95.130 (CNY107.4969) |
| 100+ | CNY91.410 (CNY103.2933) |
| 250+ | CNY89.590 (CNY101.2367) |
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最低: 1
多件: 1
CNY158.13 (CNY178.69 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R015M2HXKSA1复制
制造商标准货期88 周
库存编号4378737
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMW65R015M2H, SP005917210
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续93A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.0132ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散341W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
93A
漏源接通状态电阻
0.0132ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
341W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008361