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IMW120R014M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW120R014M1HXKSA1复制
库存编号3958240
产品范围CoolSiC Trench系列
也称为SP005425449, IMW120R014M1H
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| 50+ | CNY147.120 (CNY166.2456) |
| 100+ | CNY144.120 (CNY162.8556) |
| 250+ | CNY141.120 (CNY159.4656) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW120R014M1HXKSA1复制
库存编号3958240
产品范围CoolSiC Trench系列
也称为SP005425449, IMW120R014M1H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续127A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.014ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散455W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench系列
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IMW120R014M1HXKSA1 是一款 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET。潜在应用包括通用驱动器 (GPD)、电动汽车充电、在线 UPS/工业 UPS、组串式逆变器、太阳能功率优化器。
- 极低的开关损耗
- 短路耐受时间 3µs
- 基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.2V
- 可防止寄生导通，栅极关断电压为 0V
- 坚固的体二极管可实现硬换向
- 采用 XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能
- 根据 JEDEC47/20/22 的相关测试，符合工业应用要求
- 在 Tvj ≥ 25°C 时，漏源电压为 1200V
- PG-TO247-3-U06封装
- 存储温度范围为 -55 至 150°C
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
127A
漏源接通状态电阻
0.014ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
455W
产品范围
CoolSiC Trench系列
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008391