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IMT65R015M2HXUMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMT65R015M2HXUMA1复制
库存编号4677107
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMT65R015M2H, SP006051122
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 1+ | CNY116.640 (CNY131.8032) |
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| 10+ | CNY90.150 (CNY101.8695) |
| 50+ | CNY83.570 (CNY94.4341) |
| 100+ | CNY76.990 (CNY86.9987) |
| 250+ | CNY75.460 (CNY85.2698) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMT65R015M2HXUMA1复制
库存编号4677107
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMT65R015M2H, SP006051122
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续131A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.0132ohm
晶体管封装类型HSOF
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散535W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
131A
漏源接通状态电阻
0.0132ohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
535W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001