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IMT65R010M2HXUMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMT65R010M2HXUMA1
库存编号4677106
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMT65R010M2H, SP006051121
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY172.590 (CNY195.0267) |
| 5+ | CNY150.750 (CNY170.3475) |
| 10+ | CNY128.900 (CNY145.657) |
| 50+ | CNY121.860 (CNY137.7018) |
| 100+ | CNY114.820 (CNY129.7466) |
| 250+ | CNY112.530 (CNY127.1589) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY172.59 (CNY195.03 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMT65R010M2HXUMA1
库存编号4677106
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMT65R010M2H, SP006051121
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续168A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻9100µohm
晶体管封装类型HSOF
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散681W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
168A
漏源接通状态电阻
9100µohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
681W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001