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IMSQ120R053M2HHXUMA1
碳化硅MOSFET, 半桥, N通道, 45 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, HDSOP
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMSQ120R053M2HHXUMA1
库存编号4695753
产品范围CoolSiC Series
也称为IMSQ120R053M2HH, SP005873538
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| 5+ | CNY79.360 (CNY89.6768) |
| 10+ | CNY64.130 (CNY72.4669) |
| 50+ | CNY63.150 (CNY71.3595) |
| 100+ | CNY62.170 (CNY70.2521) |
| 250+ | CNY61.180 (CNY69.1334) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMSQ120R053M2HHXUMA1
库存编号4695753
产品范围CoolSiC Series
也称为IMSQ120R053M2HH, SP005873538
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型N通道
电流, Id 连续45A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.053ohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数16引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散234W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
45A
漏源接通状态电阻
0.053ohm
针脚数
16引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
234W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001