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IMLT65R033M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 68 A, 650 V, 0.041 ohm, HDSOP
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMLT65R033M2HXTMA1
库存编号4573828
产品范围CoolSiC G2 Series
也称为IMLT65R033M2H, SP005969468
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY77.660 (CNY87.7558) |
| 5+ | CNY64.990 (CNY73.4387) |
| 10+ | CNY52.320 (CNY59.1216) |
| 50+ | CNY46.610 (CNY52.6693) |
| 100+ | CNY40.900 (CNY46.217) |
| 250+ | CNY40.090 (CNY45.3017) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY77.66 (CNY87.76 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMLT65R033M2HXTMA1
库存编号4573828
产品范围CoolSiC G2 Series
也称为IMLT65R033M2H, SP005969468
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续68A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.041ohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数16引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散312W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
68A
漏源接通状态电阻
0.041ohm
针脚数
16引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
312W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001021