打印页面
IMDQ75R020M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 296 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
在此登记您的兴趣
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY126.430 (CNY142.8659) |
| 5+ | CNY95.370 (CNY107.7681) |
| 10+ | CNY74.250 (CNY83.9025) |
| 50+ | CNY70.230 (CNY79.3599) |
| 100+ | CNY66.790 (CNY75.4727) |
| 250+ | CNY66.080 (CNY74.6704) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY126.43 (CNY142.87 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMDQ75R020M2HXTMA1复制
库存编号4916082
产品范围CoolSiC G2 Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续296A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.018ohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数22引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散340W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
296A
漏源接通状态电阻
0.018ohm
针脚数
22引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
340W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001