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IMCQ120R010M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 195 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, HDSOP
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMCQ120R010M2HXTMA1复制
制造商标准货期55 周
库存编号4733921
产品范围CoolSiC G2 Series
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY224.400 (CNY253.572) |
| 5+ | CNY194.190 (CNY219.4347) |
| 10+ | CNY163.970 (CNY185.2861) |
| 50+ | CNY161.450 (CNY182.4385) |
| 100+ | CNY158.920 (CNY179.5796) |
| 250+ | CNY155.750 (CNY175.9975) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMCQ120R010M2HXTMA1复制
制造商标准货期55 周
库存编号4733921
产品范围CoolSiC G2 Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续195A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.01ohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数22引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散880W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
195A
漏源接通状态电阻
0.01ohm
针脚数
22引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
880W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001