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IMCQ120R007M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
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| 100+ | CNY225.300 (CNY254.589) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMCQ120R007M2HXTMA1
库存编号4733920
产品范围CoolSiC G2 Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续257A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻7500µohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数22引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散1.172kW
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
257A
漏源接通状态电阻
7500µohm
针脚数
22引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
1.172kW
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001