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IMBG75R016M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 93 A, 750 V, 0.02 ohm, TO-263
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG75R016M2HXTMA1复制
库存编号4923149
产品范围CoolSiC G2 Series
也称为SP006098947,IMBG75R016M2H
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY144.010 (CNY162.7313) |
| 5+ | CNY108.630 (CNY122.7519) |
| 10+ | CNY84.570 (CNY95.5641) |
| 50+ | CNY79.990 (CNY90.3887) |
| 100+ | CNY76.070 (CNY85.9591) |
| 250+ | CNY75.270 (CNY85.0551) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY144.01 (CNY162.73 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG75R016M2HXTMA1复制
库存编号4923149
产品范围CoolSiC G2 Series
也称为SP006098947,IMBG75R016M2H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续93A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散318W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
93A
漏源接通状态电阻
0.02ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
318W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001