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IMBG75R007M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 198 A, 750 V, 0.0063 ohm, TO-263
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 1+ | CNY251.700 (CNY284.421) |
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| 10+ | CNY179.260 (CNY202.5638) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG75R007M2HXTMA1复制
库存编号4916089
产品范围CoolSiC G2 Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续198A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.0063ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散651W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
198A
漏源接通状态电阻
0.0063ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
651W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001