打印页面
IMBG75R007M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 198 A, 750 V, 0.0063 ohm, TO-263
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
在此登记您的兴趣
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY301.120 (CNY340.2656) |
| 5+ | CNY261.010 (CNY294.9413) |
| 10+ | CNY219.820 (CNY248.3966) |
| 50+ | CNY208.270 (CNY235.3451) |
| 100+ | CNY198.970 (CNY224.8361) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY301.12 (CNY340.27 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG75R007M2HXTMA1复制
库存编号4916089
产品范围CoolSiC G2 Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续198A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.0063ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散651W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
198A
漏源接通状态电阻
0.0063ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
651W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001