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IMBG65R060M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG65R060M2HXTMA1复制
库存编号4640389
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMBG65R060M2H, SP006051147
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY55.050 (CNY62.2065) |
| 10+ | CNY36.180 (CNY40.8834) |
| 100+ | CNY30.850 (CNY34.8605) |
| 500+ | CNY27.800 (CNY31.414) |
| 1000+ | CNY24.000 (CNY27.120) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY55.05 (CNY62.21 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG65R060M2HXTMA1复制
库存编号4640389
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMBG65R060M2H, SP006051147
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续34.9A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.055ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散148W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
34.9A
漏源接通状态电阻
0.055ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
148W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001