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制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG65R033M2HXTMA1
库存编号4640388
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMBG65R033M2H, SP006051145
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY77.950 (CNY88.0835) |
| 5+ | CNY67.260 (CNY76.0038) |
| 10+ | CNY56.570 (CNY63.9241) |
| 50+ | CNY54.230 (CNY61.2799) |
| 100+ | CNY51.880 (CNY58.6244) |
| 250+ | CNY49.640 (CNY56.0932) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG65R033M2HXTMA1
库存编号4640388
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMBG65R033M2H, SP006051145
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续58A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.03ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散227W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
58A
漏源接通状态电阻
0.03ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
227W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00001
