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IMBG120R350M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R350M1HXTMA1
库存编号
复卷3582467RL
切割卷带3582467
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R350M1H, SP004463802
您的零件号
852 有货
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852 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY50.390 | CNY50.39 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY50.390 (CNY56.9407) |
| 10+ | CNY33.020 (CNY37.3126) |
| 100+ | CNY24.330 (CNY27.4929) |
| 500+ | CNY21.610 (CNY24.4193) |
| 1000+ | CNY19.200 (CNY21.696) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R350M1HXTMA1
库存编号
复卷3582467RL
切割卷带3582467
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R350M1H, SP004463802
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续4.7A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.35ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散65W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
4.7A
漏源接通状态电阻
0.35ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
65W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001637