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IMBG120R060M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R060M1HXTMA1
库存编号
复卷3582463RL
切割卷带3582463
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R060M1H, SP004363744
您的零件号
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY72.410 | CNY72.41 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY72.410 (CNY81.8233) |
| 5+ | CNY59.780 (CNY67.5514) |
| 10+ | CNY47.140 (CNY53.2682) |
| 50+ | CNY43.760 (CNY49.4488) |
| 100+ | CNY40.370 (CNY45.6181) |
| 250+ | CNY39.570 (CNY44.7141) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R060M1HXTMA1
库存编号
复卷3582463RL
切割卷带3582463
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R060M1H, SP004363744
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续36A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散181W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
36A
漏源接通状态电阻
0.06ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
181W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361