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IMBG120R053M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R053M2HXTMA1
库存编号
复卷4376964RL
切割卷带4376964
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R053M2H, SP005825853
您的零件号
685 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY70.670 | CNY70.67 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY70.670 (CNY79.8571) |
| 5+ | CNY59.470 (CNY67.2011) |
| 10+ | CNY48.260 (CNY54.5338) |
| 50+ | CNY44.310 (CNY50.0703) |
| 100+ | CNY40.350 (CNY45.5955) |
| 250+ | CNY39.550 (CNY44.6915) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R053M2HXTMA1
库存编号
复卷4376964RL
切割卷带4376964
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R053M2H, SP005825853
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续41A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0526ohm
晶体管封装类型TO-263HV
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散205W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
41A
漏源接通状态电阻
0.0526ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
205W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001