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IMBG120R034M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R034M2HXTMA1
库存编号4575641
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R034M2H, SP006016740
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY95.630 (CNY108.0619) |
| 5+ | CNY84.060 (CNY94.9878) |
| 10+ | CNY72.480 (CNY81.9024) |
| 50+ | CNY66.440 (CNY75.0772) |
| 100+ | CNY60.400 (CNY68.252) |
| 250+ | CNY59.200 (CNY66.896) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY95.63 (CNY108.06 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R034M2HXTMA1
库存编号4575641
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R034M2H, SP006016740
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续58A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.034ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散278W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
58A
漏源接通状态电阻
0.034ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
278W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001613