打印页面
IMBG120R008M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R008M2HXTMA1
库存编号
复卷4376957RL
切割卷带4376957
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R008M2H, SP005752492
您的零件号
可订购
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY269.050 | CNY269.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY269.050 (CNY304.0265) |
| 5+ | CNY241.580 (CNY272.9854) |
| 10+ | CNY214.100 (CNY241.933) |
| 50+ | CNY209.820 (CNY237.0966) |
| 100+ | CNY205.540 (CNY232.2602) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R008M2HXTMA1
库存编号
复卷4376957RL
切割卷带4376957
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
也称为IMBG120R008M2H, SP005752492
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续189A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻7700µohm
晶体管封装类型TO-263HV
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散800W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
189A
漏源接通状态电阻
7700µohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
800W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001