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| 100+ | CNY24.980 (CNY28.2274) |
| 500+ | CNY23.390 (CNY26.4307) |
| 1000+ | CNY21.800 (CNY24.634) |
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产品概述
IGW40N120H3是一款高速IGBT, 采用Trench和field-stop技术, 可配合SiC二极管IDH15S120使用。高速器件可以缩小有源元件的尺寸(25到70kHz)。高速3系列具有优秀的开关损耗和传导损耗。该系列的关断开关性能与MOSFET相似, 从而实现低关断损耗。此外, 这种技术可以提高最高15%效率。
- 设计用于在开关频率低于70kHz的应用中替代平面MOSFET
- 低开关损耗, 高效率
- 快速开关性能, 低EMI辐射
- 二极管针对目标应用优化, 进一步改善开关损耗
- 可选择低栅极电阻 (低至55Ω), 同时保持出色的开关性能
- 短路能力
- 优秀的性能
- 低开关与传导损耗
- 优秀的EMI性能
- 小栅极电阻, 减少延迟时间和电压过冲
- 优秀的IGBT效率和EMI性能
- 提供带和不带续流二极管款式, 提高设计自由度
- 绿色产品
- 无卤素
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
连续集电极电流
40A
功率耗散
483W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极-发射极饱和电压
2.4V
最大集电极发射电压
1.2kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00542

