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IAUTN06S5N008ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUTN06S5N008ATMA1复制
库存编号
复卷4216470RL
切割卷带4216470
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为SP005879442
您的零件号
426 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY51.470 | CNY51.47 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY51.470 (CNY58.1611) |
| 10+ | CNY34.660 (CNY39.1658) |
| 100+ | CNY25.060 (CNY28.3178) |
| 500+ | CNY23.380 (CNY26.4194) |
| 1000+ | CNY22.170 (CNY25.0521) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUTN06S5N008ATMA1复制
库存编号
复卷4216470RL
切割卷带4216470
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为SP005879442
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续510A
漏源接通状态电阻650µohm
晶体管封装类型HSOF
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散358W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
510A
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
358W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
650µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 5 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074