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IAUCN10S5L094DATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 60 A, 9400 µohm
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|---|---|
| 1+ | CNY26.180 (CNY29.5834) |
| 10+ | CNY17.010 (CNY19.2213) |
| 100+ | CNY11.770 (CNY13.3001) |
| 500+ | CNY9.350 (CNY10.5655) |
| 1000+ | CNY8.790 (CNY9.9327) |
| 5000+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUCN10S5L094DATMA1
库存编号4551029
产品范围OptiMOS Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道9400µohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道94W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
9400µohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
94W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001