打印页面
IAUCN04S7N054HATMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 62 A, 5140 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
在此登记您的兴趣
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.230 (CNY13.8199) |
| 10+ | CNY7.760 (CNY8.7688) |
| 100+ | CNY5.100 (CNY5.763) |
| 500+ | CNY4.110 (CNY4.6443) |
| 1000+ | CNY3.660 (CNY4.1358) |
| 5000+ | CNY3.360 (CNY3.7968) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY12.23 (CNY13.82 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUCN04S7N054HATMA1复制
库存编号5070589
产品范围OptiMOS 7 Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道62A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道5140µohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道40W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 7 Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS 7 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
62A
漏源通态电阻N沟道
5140µohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
40W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015