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IAUCN04S7L023HATMA1

双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 100 A, 0.00234 ohm

INFINEON
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INFINEON IAUCN04S7L023HATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 100 A, 0.00234 ohm
INFINEON IAUCN04S7L023HATMA1
INFINEON IAUCN04S7L023HATMA1
制造商INFINEON
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库存编号4800186
产品范围OptiMOS 7 Series
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10+CNY7.220 (CNY8.1586)
100+CNY6.040 (CNY6.8252)
500+CNY5.810 (CNY6.5653)
1000+CNY5.410 (CNY6.1133)
5000+CNY5.310 (CNY6.0003)
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最低: 1
多件: 1
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产品信息

  • INFINEON
    制造商INFINEON
    制造商产品编号IAUCN04S7L023HATMA1复制
    库存编号4800186
    产品范围OptiMOS 7 Series
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型双N通道
    漏源电压Vds N沟道40V
    漏源电压Vds P沟道-
    连续漏极电流 Id N沟道100A
    连续漏极电流 Id P沟道-
    漏源通态电阻N沟道0.00234ohm
    漏源导通电阻P沟道-
    晶体管封装类型TDSON
    针脚数8引脚
    耗散功率N沟道75W
    耗散功率P沟道-
    工作温度最高值175°C
    产品范围OptiMOS 7 Series
    合规AEC-Q101
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    双N通道

    漏源电压Vds P沟道

    -

    连续漏极电流 Id P沟道

    -

    漏源导通电阻P沟道

    -

    针脚数

    8引脚

    耗散功率P沟道

    -

    产品范围

    OptiMOS 7 Series

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压Vds N沟道

    40V

    连续漏极电流 Id N沟道

    100A

    漏源通态电阻N沟道

    0.00234ohm

    晶体管封装类型

    TDSON

    耗散功率N沟道

    75W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    AEC-Q101

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Austria
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000001