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FM25V20A-DGQ
铁电存储器(FRAM), 2 Mbit(256K x 8)SPI, 33 MHz, 2 V至3.6 V电源, DFN-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY168.000 (CNY189.840) |
| 10+ | CNY157.600 (CNY178.088) |
| 25+ | CNY153.530 (CNY173.4889) |
| 50+ | CNY146.650 (CNY165.7145) |
| 100+ | CNY143.220 (CNY161.8386) |
包装规格：每个
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM25V20A-DGQ
库存编号2772920
也称为SP005657303, FM25V20A-DGQ
技术数据表
存储密度2Mbit
记忆配置256K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值33MHz
电源电压最小值2V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装DFN-EP
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM25V20A-DGQ是一款2Mbit（256K×8）串行（SPI）铁电随机存取存储器（F-RAM）。该2Mbit非易失性存储器采用先进铁电工艺制造。铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与类似RAM的读写性能。 该器件可提供长达121年的可靠数据保持能力，同时消除了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。FM25V20A支持10^14次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1000万倍。 这些特性使FM25V20A成为需要频繁或快速写入的非易失性存储应用的理想选择。应用场景涵盖数据采集（写入周期数量至关重要）到严苛的工业控制（串行闪存或EEPROM的漫长写入时间可能导致数据丢失）。作为硬件直接替换方案，FM25V20A为串行EEPROM或闪存用户带来显著优势。
- 无延迟写入，先进的高可靠性铁电工艺
- 超高速串行外设接口（SPI），最高支持33MHz频率
- 直接硬件替代串行闪存和 EEPROM
- 支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
- 精密写保护功能，通过写保护引脚（低电平有效WP）实现硬件保护
- 软件保护：写禁用指令，支持1/4、1/2或全数组的软件块保护
- 低电压工作：VDD=2V至3.6V
- 当fSCK=33MHz时，VDD供电电流为3mA
- VDD待机电流典型值为100µA（CS=VDD且为低电平有效时，其余所有输入为VSS或VDD，TA=25°C）
- 8引脚DFN封装，扩展温度范围-40°C至+105°C
技术规格
存储密度
2Mbit
接口
SPI
电源电压最小值
2V
IC 外壳 / 封装
DFN-EP
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
256K x 8位
时钟频率最大值
33MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004475