打印页面
FM25040B-G
铁电存储器(FRAM), 4 Kbit(512 x 8)SPI, 20 MHz, 4.5 V至5.5 V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
530 有货
需要更多？
530 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.880 (CNY21.3344) |
| 10+ | CNY17.280 (CNY19.5264) |
| 50+ | CNY17.080 (CNY19.3004) |
| 100+ | CNY16.880 (CNY19.0744) |
| 250+ | CNY16.640 (CNY18.8032) |
| 500+ | CNY15.930 (CNY18.0009) |
| 1000+ | CNY15.490 (CNY17.5037) |
| 2500+ | CNY15.040 (CNY16.9952) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY18.88 (CNY21.33 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
FM25040B-G是一款4Kbit（512×8）串行（SPI）铁电随机存取存储器（F-RAM）。该4Kbit非易失性存储器采用先进铁电工艺制造。铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与RAM般的读写性能。 该器件可提供长达151年的可靠数据保持能力，同时消除了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。FM25040B支持10^14次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1亿倍。 这些特性使FM25040B成为需要频繁或快速写入的非易失性存储应用的理想选择。应用场景涵盖数据采集（写入周期数量至关重要）到严苛的工业控制（串行闪存或EEPROM的漫长写入时间可能导致数据丢失）。该存储器作为硬件直接替换方案，为串行EEPROM或闪存用户带来显著优势。
- NoDelay™写入技术，先进高可靠性铁电工艺
- 超高速串行外设接口（SPI），最高支持20MHz频率
- 直接硬件替代串行闪存和 EEPROM
- 支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
- 精密写保护，通过写保护引脚（低电平有效WP）实现硬件保护
- 软件保护：写禁用指令，支持1/4、1/2或全数组的软件块保护
- 工作电压：VDD=4.5V至5.5V
- VDD供电电流为0.25mA（fSCK=1MHz）
- VDD待机电流典型值为4µA（CS=VDD为低电平有效时），其余所有输入为VSS或VDD
- 8 引脚 SOIC 封装，-40°C 至 +85°C 工业温度范围
技术规格
存储密度
4Kbit
接口
SPI
电源电压最小值
4.5V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
512 x 8位
时钟频率最大值
20MHz
电源电压最大值
5.5V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003152