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FF8MR12W1M1HB11BPSA1
碳化硅MOSFET, 半桥, N通道, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Module
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号FF8MR12W1M1HB11BPSA1
库存编号4313258
产品范围EasyDUAL 2B CoolSiC Series
也称为FF8MR12W1M1H_B11, SP005634498
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|---|---|
| 1+ | CNY700.810 (CNY791.9153) |
| 5+ | CNY669.490 (CNY756.5237) |
| 10+ | CNY638.160 (CNY721.1208) |
| 50+ | CNY606.830 (CNY685.7179) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FF8MR12W1M1HB11BPSA1
库存编号4313258
产品范围EasyDUAL 2B CoolSiC Series
也称为FF8MR12W1M1H_B11, SP005634498
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型N通道
电流, Id 连续90A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻8100µohm
晶体管封装类型Module
针脚数18引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.15V
功率耗散20mW
工作温度最高值175°C
产品范围EasyDUAL 2B CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
90A
漏源接通状态电阻
8100µohm
针脚数
18引脚
阈值栅源电压最大值
5.15V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
20mW
产品范围
EasyDUAL 2B CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.024