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CY7C109D-10ZXI
芯片, 存储器, SRAM, 1 MB, 128K X 8位, 10 NS存取时间, 平行口, 4.5 V至5.5 V 电源, TSOP-32
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| 50+ | CNY24.370 (CNY27.5381) |
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| 250+ | CNY22.980 (CNY25.9674) |
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产品概述
CY7C109D-10ZXI 是一款 1Mbit（128K × 8）静态 RAM。它是一款高性能 CMOS 静态 RAM，组织结构为 131,072 个 8 位字。 通过低电平有效的芯片使能（低电平有效 CE1）、高电平有效的芯片使能（CE2）、低电平有效的输出使能（低电平有效 OE）以及三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。 当未选中（低电平有效 CE1 高电平或 CE2 低电平）、输出禁用（低电平有效 OE 高电平）以及写入操作激活（低电平有效 CE1 低电平、CE2 高电平和低电平有效 WE 低电平）时，八个输入和输出引脚（I/O0 至 I/O7）处于高阻抗状态。 该器件适用于与具有 TTL 输入/输出电平的处理器进行接口连接。
- 引脚和功能与 CY7C109B/CY7C1009B 兼容
- 高速，tAA=10ns
- 10ns 时低功耗 ICC=80mA
- 低CMOS待机功耗ISB2=3mA
- 2.0V数据保留
- 未选中时自动断电
- TTL兼容输入与输出
- 利用低电平有效 CE1、低电平有效 CE2 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 32 引脚 TSOP（I 型）封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
128K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-I
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002188