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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY47.400 (CNY53.562) |
| 10+ | CNY44.420 (CNY50.1946) |
| 25+ | CNY43.210 (CNY48.8273) |
| 50+ | CNY42.830 (CNY48.3979) |
| 100+ | CNY41.840 (CNY47.2792) |
| 250+ | CNY41.360 (CNY46.7368) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY7C1049GN30-10ZSXIT
库存编号4127889
也称为SP005638221, CY7C1049GN30-10ZSXIT
技术数据表
存储器容量4Mbit
SRAM类型异步SRAM
SRAM 内存配置512Kword x 8bit
存储密度4Mbit
电源电压范围2.2V 至 3.6V
记忆配置512Kword x 8位
封装类型TSOP-II
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.2V
存取时间10ns
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY7C1049GN30-10ZSXIT is a CY7C1049GN high-performance CMOS fast static RAM device organized as 512K words by 8-bits. Data writes are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and write enable (WE) inputs LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and address on A0 through A18 pins. Data reads are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and output enable (OE) inputs LOW and providing the required address on the address lines. Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7).
- High speed is tAA = 10ns
- Low active and standby currents
- Active current: ICC = 38mA typical
- 1.0V data retention
- TTL-compatible inputs and outputs
- 2.2V to 3.6V voltage range
- 44-pin TSOP II package
- Industrial temperature range from –40°C to +85°C
- 65nm process technology
技术规格
存储器容量
4Mbit
SRAM 内存配置
512Kword x 8bit
电源电压范围
2.2V 至 3.6V
封装类型
TSOP-II
针脚数
44引脚
存取时间
10ns
额定电源电压
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
汽车质量标准
-
SRAM类型
异步SRAM
存储密度
4Mbit
记忆配置
512Kword x 8位
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.2V
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001197
