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CY62157EV30LL-45ZSXIT
SRAM, 异步SRAM, 8 Mbit, 512K x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 2.2 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62157EV30LL-45ZSXIT
库存编号2768033
也称为SP005648425, CY62157EV30LL-45ZSXIT
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度8Mbit
记忆配置512K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY62157EV30LL-45ZSXIT 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，按 16 位 512K 字组织。该器件采用先进的电路设计，可提供超低有功电流。这非常适合在蜂窝电话等便携式应用中提供更长的电池寿命™ (MoBL®)。该器件还具有自动关机功能，在地址不切换时可显著降低功耗。当取消选择时（CE1 高电平或 CE2 低电平或 BHE 低电平和 BLE 低电平均为高电平），将器件置于待机模式。当器件取消选择（CE1 高电平或 CE2 低电平有效低电平）、输出禁用（OE 高电平有效低电平）、字节高使能和字节低使能禁用（BHE 低电平有效低电平、BLE 高电平有效低电平）或写操作有效（CE1 低电平有效低电平、CE2 高电平有效低电平和 WE 低电平有效低电平）时，输入或输出引脚（I/O0 至 I/O15）处于高阻抗状态。应用包括智能楼宇、不间断电源 (UPS)。
- 宽电压范围2.20V至3.60V
- 利用低电平有效 CE1、低电平有效 CE2 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 在不被选择时, 自动关断
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- 典型待机电流为 2µA
- 8Mbit 密度，×16 总线宽度
- 45ns 速度等级
- 44 引脚 TSOP II 型封装
- 工业温度范围: -40°C到85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
512K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
8Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
CY62157EV30LL-45ZSXIT 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.b
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003251