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CY62157ESL-45ZSXI
SRAM, MoBL®, 异步SRAM, 8 Mbit, 512K x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 4.5 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62157ESL-45ZSXI复制
库存编号2772819
也称为SP005648399, CY62157ESL-45ZSXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度8Mbit
记忆配置512K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY62157ESL-45ZSXI是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×16位。该器件采用先进电路设计实现超低工作电流，是便携式应用中延长电池寿命™（MoBL®）的理想选择。其自动关断功能可在地址未翻转时显著降低功耗。 当未选中时（低电平有效CE为高电平，或低电平有效BHE与低电平有效BLE同时为高电平），器件进入待机模式。未选中状态下（低电平有效CE为高电平），输入/输出引脚（I/O0至I/O15）处于高阻抗状态； 输出禁用（OE高电平为有效低电平），字节高位使能与字节低位使能同时禁用（BHE为有效低电平且BLE高电平），或处于有效写入操作期间（CE低电平且WE低电平）。本器件适用于与TTL输入/输出电平的处理器接口。
- 超高速：45ns
- 最大待机电流为8µA
- 在f=1MHz 时，典型有效电流为 1.8mA
- 利用低电平有效 CE 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 未选中时自动断电
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- Vcc 工作电压范围为 2.2V 至 3.6V 及 4.5V 至 5.5V
- 1.5V VCC供电维持数据
- 44 引脚 TSOP II 型封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
512K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
8Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.010487