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CY62147EV30LL-45ZSXIT
SRAM, MoBL®, 异步SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 2.2 V
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|---|---|
| 1+ | CNY36.950 (CNY41.7535) |
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| 25+ | CNY33.680 (CNY38.0584) |
| 50+ | CNY32.920 (CNY37.1996) |
| 100+ | CNY32.540 (CNY36.7702) |
| 250+ | CNY31.540 (CNY35.6402) |
| 500+ | CNY30.780 (CNY34.7814) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62147EV30LL-45ZSXIT
库存编号2772817
也称为SP005645155, CY62147EV30LL-45ZSXIT
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置256K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY62147EV30LL-45ZSXIT是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），采用256K字×16位组织结构。该器件采用先进电路设计实现超低工作电流，特别适用于手机等便携设备实现延长电池寿命™（MoBL®）功能。 该器件还具备自动断电功能，可在地址未切换时显著降低功耗。当进入待机模式（未选通状态：CE HIGH且为低电平有效，或BLE与BHE同时为高电平）时，功耗可降低99%以上。 当满足以下条件时，输入输出引脚（I/O0至I/O15）将进入高阻抗状态：未选通（低电平有效CE为高电平）、输出禁用（低电平有效OE为高电平）、字节高使能与字节低使能同时禁用（低电平有效BHE且低电平有效BLE为高电平）、写操作激活（低电平有效CE为低电平且低电平有效WE为低电平）.
- 极高速度：45ns
- 2.20V至3.60V宽电压范围
- 与CY62147DV30引脚兼容
- 最大待机电流为7µA（工业级）
- 在f=1MHz 时，典型有效电流为 3.5mA
- 利用低电平有效 CE 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 未选中时自动断电
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- 44 引脚 TSOP II 型封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
256K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
CY62147EV30LL-45ZSXIT 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361