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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY41.360 (CNY46.7368) |
| 10+ | CNY38.790 (CNY43.8327) |
| 25+ | CNY37.680 (CNY42.5784) |
| 50+ | CNY36.880 (CNY41.6744) |
| 100+ | CNY35.780 (CNY40.4314) |
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62146EV30LL-45ZSXIT
库存编号2767913
也称为SP005645069, CY62146EV30LL-45ZSXIT
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置256K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY62146EV30LL-45ZSXIT 是一款 4-Mbit (256K × 16) 高性能 CMOS 静态 RAM,按 16 位 256K 字组织。该器件采用先进的电路设计,旨在提供超低有功电流。超低有功电流非常适合在蜂窝电话等便携式应用中提供 More Battery Life™ (MoBL®)。该器件还具有自动关机功能,在地址不切换时可将功耗大幅降低 80%。当取消选择(低电平 CE 高电平有效)时,该器件还可进入待机模式,将功耗降低 99% 以上。应用包括工业自动化。
- VCC 范围为 2.2 至 3.6V,速度为 45ns
- 工作 ICC 范围为 3.5mA(典型值,f=1MHz,VCC=VCC(典型值),TA=25°C)
- 待机 ISB2 为 2.5µA(典型值,VCC=VCC(典型值),TA=25°C)
- 与CY62146DV30引脚兼容
- 在f=1MHz 时,典型有效电流为 3.5mA
- 利用低电平有效 CE 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 在不被选择时, 自动关断
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS),实现最佳速度和功耗
- 输入和输出电容最大为 10pF(TA=25°C,f=1MHz,VCC=VCC(典型值)
- 44 引脚 TSOP II 封装,工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
256K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
CY62146EV30LL-45ZSXIT 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.b
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000865
