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CY62146ESL-45ZSXI
SRAM, MoBL®, 异步SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 4.5 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY44.960 (CNY50.8048) |
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| 25+ | CNY42.220 (CNY47.7086) |
| 50+ | CNY41.460 (CNY46.8498) |
| 100+ | CNY41.440 (CNY46.8272) |
| 250+ | CNY41.410 (CNY46.7933) |
| 500+ | CNY41.380 (CNY46.7594) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62146ESL-45ZSXI
库存编号2772816
也称为SP005644431, CY62146ESL-45ZSXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置256K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY62146ESL-45ZSXI是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K字×16位。该器件采用先进电路设计实现超低工作电流，特别适用于手机等便携设备实现"延长电池寿命™"（MoBL®）功能。 该器件还具备自动断电功能，可在地址未切换时降低功耗。进入待机模式后（当未选通时：低电平有效CE高电平），功耗可降低99%以上。当器件处于未选通状态（低电平有效CE高电平）、 输出禁用（低电平有效OE HIGH），字节高位使能与字节低位使能同时禁用（低电平有效BHE、高电平有效BLE HIGH），或处于写入操作期间（低电平有效CE LOW、低电平有效WE LOW）。
- 极高速度：45ns
- 最大待机电流为7µA
- 在f=1MHz 时，典型有效电流为 3.5mA
- 利用低电平有效 CE 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 未选中时自动断电
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- Vcc 工作电压范围为 2.2V 至 3.6V 及 4.5V 至 5.5V
- 数据保持电压VCC为1.5V
- 44 引脚 TSOP II 型封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
256K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.051709