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CY62138FV30LL-45ZXI
SRAM, 异步SRAM, 2 Mbit, 256K x 8位, TSOP-I, 32 引脚, 2.2 V
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62138FV30LL-45ZXI
库存编号2767910
也称为SP005644417, CY62138FV30LL-45ZXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度2Mbit
记忆配置256K x 8位
IC 外壳 / 封装TSOP-I
针脚数32引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY62138FV30LL-45ZXI 是一款高性能CMOS静态RAM，采用256K字×8位结构。该器件采用先进电路设计实现超低工作电流，特别适用于延长移动设备（如手机）的电池寿命™。该器件还具备自动断电功能，可显著降低功耗。当未选中时，可将器件置于待机模式以减少功耗。要向器件写入数据，需将芯片使能和写使能输入置为低电平。此时数据将通过八个I/O引脚写入地址引脚指定的位置。读取时需将芯片使能与输出使能置低，同时强制写使能置高。在此条件下，地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中、输出禁用或处于写入操作期间，八个输入输出引脚均处于高阻抗状态。
- 极高速度：45ns
- 2.2V至3.6V宽电压范围
- 引脚兼容 CY62138CV25/30/33
- 待机电流超低：1µA（典型值）
- 超低功耗，典型工作电流：f = 1MHz时为1.6mA
- 通过低电平有效CE1/CE2与低电平有效OE功能实现便捷内存扩展
- 未选中时自动断电
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- 90纳米工艺技术
- 工作温度范围：-40°C至85°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
256K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
2Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-I
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000025