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CY15B104QN-50SXI
非易失性存储器, 4MB, 50MHZ, SOIC-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY133.180 (CNY150.4934) |
| 10+ | CNY123.990 (CNY140.1087) |
| 25+ | CNY120.310 (CNY135.9503) |
| 50+ | CNY115.030 (CNY129.9839) |
| 100+ | CNY114.910 (CNY129.8483) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY133.18 (CNY150.49 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY15B104QN-50SXI
库存编号3227301
也称为SP005647985, CY15B104QN-50SXI
技术数据表
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值50MHz
电源电压最小值1.8V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY15B104QN-50SXI是一款4Mb EXCELON™ LP铁电随机存取存储器（F-RAM）。该低功耗4Mb非易失性存储器采用先进铁电工艺制造。 铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与RAM般的读写性能，可提供长达151年的可靠数据保留能力，同时消除了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。 该器件支持10^15次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的10亿倍。对于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用而言，该器件堪称理想之选。典型应用场景涵盖数据采集（写入循环次数至关重要）以及严苛的工业控制领域（串行闪存或EEPROM的漫长写入时间可能导致数据丢失）。
- 4Mb 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 512 K × 8
- 先进高可靠性铁电工艺
- 快速串行外设接口（SPI），最高支持50MHz频率
- 支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
- 复杂写保护方案，支持1/4、1/2或全数组软件块保护
- 使用写保护（低电平有效 WP）引脚进行硬件保护
- 采用写禁用指令(WRDI)实现软件保护
- 设备ID包含制造商ID、产品ID、唯一ID及序列号
- 8引脚SOIC（EIAJ）封装
- 工业工作温度范围：-40⁰C至+85⁰C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
存储密度
4Mbit
接口
SPI
电源电压最小值
1.8V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
512K x 8位
时钟频率最大值
50MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.b.2
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000984