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CY15B004Q-SXE
非易失性存储器, 4KB, 16MHZ, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.420 (CNY23.0746) |
| 10+ | CNY18.580 (CNY20.9954) |
| 50+ | CNY17.940 (CNY20.2722) |
| 100+ | CNY17.380 (CNY19.6394) |
| 250+ | CNY17.350 (CNY19.6055) |
| 500+ | CNY17.310 (CNY19.5603) |
| 1000+ | CNY14.550 (CNY16.4415) |
| 2500+ | CNY11.780 (CNY13.3114) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY15B004Q-SXE
库存编号3259952
也称为SP005647209, CY15B004Q-SXE
技术数据表
存储密度4Kbit
记忆配置512 x 8位
接口SPI
时钟频率最大值16MHz
电源电压最小值3V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY15B004Q-SXE是一款4Kbit（512×8）串行（SPI）汽车级F-RAM。该非易失性存储器采用先进铁电工艺制造。 铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与RAM般的读写性能，可提供长达121年的可靠数据保持能力，同时避免了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。 其支持高达10^13次读写循环，写入周期是EEPROM的1000万倍。作为串行EEPROM或闪存的硬件替代方案，为用户带来显著优势。CY15B004Q采用高速SPI总线，进一步提升了F-RAM技术的高速写入能力。
- NoDelay™写入技术，先进高可靠性铁电工艺
- 超高速串行外设接口（SPI），最高支持16MHz频率
- 直接硬件替代串行闪存和 EEPROM
- 采用精密写保护方案，通过写禁用指令实现软件保护
- 软件模块保护功能，支持1/4、1/2或全阵列保护
- 使用写保护（低电平有效 WP）引脚进行硬件保护
- 符合AEC Q100一级标准
- 低电压工作：VDD=3.0V至3.6V
- 8引脚SOIC封装
- 汽车电子级工作温度范围：-40°C至+125°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
存储密度
4Kbit
接口
SPI
电源电压最小值
3V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
512 x 8位
时钟频率最大值
16MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002547