打印页面
BSZ900N20NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
4,831 有货
需要更多？
4,831 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.280 | CNY16.28 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.280 (CNY18.3964) |
| 10+ | CNY10.400 (CNY11.752) |
| 100+ | CNY7.190 (CNY8.1247) |
| 500+ | CNY6.100 (CNY6.893) |
| 1000+ | CNY4.840 (CNY5.4692) |
| 5000+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ900N20NS3GATMA1复制
库存编号
复卷2432723RL
切割卷带2432723
也称为BSZ900N20NS3 G, SP000781806
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续15.2A
漏源接通状态电阻0.09ohm
晶体管封装类型TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散62.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSZ900N20NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM and MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
15.2A
晶体管封装类型
TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.09ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001