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BSZ42DN25NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 5 A, 0.425 ohm, TSDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.670 | CNY48.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.670 (CNY10.9271) |
| 50+ | CNY6.430 (CNY7.2659) |
| 250+ | CNY5.260 (CNY5.9438) |
| 1000+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
| 3000+ | CNY4.180 (CNY4.7234) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ42DN25NS3GATMA1
库存编号
复卷2443427RL
切割卷带2443427
也称为BSZ42DN25NS3 G, SP000781796
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续5A
漏源接通状态电阻0.425ohm
晶体管封装类型TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散33.8W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- OptiMOS™ 3 power transistor
- Optimized for dc-dc conversion
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in lead-times. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5A
晶体管封装类型
TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
33.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.425ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000147