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BSZ086P03NS3EGATMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 40 A, 8600 µohm, TSDSON, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.990 | CNY34.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.990 (CNY7.8987) |
| 50+ | CNY4.610 (CNY5.2093) |
| 250+ | CNY3.660 (CNY4.1358) |
| 1000+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
| 3000+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ086P03NS3EGATMA1
库存编号
复卷2480784RL
切割卷带2480784
也称为BSZ086P03NS3E G, SP000473016
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻8600µohm
晶体管封装类型TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散2.1W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
Optima's™ P3 power transistor suitable for battery management, load switching applications.
- Single P-channel
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Specially suited for notebook applications (VGS=25V)
- ESD protected
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
8600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSZ086P03NS3EGATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00008