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BSS670S2LH6327XTSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.180 | CNY10.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
| 50+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
| 250+ | CNY0.847 (CNY0.9571) |
| 1000+ | CNY0.484 (CNY0.5469) |
| 5000+ | CNY0.421 (CNY0.4757) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSS670S2LH6327XTSA1
库存编号
复卷2432721RL
切割卷带2432721
也称为BSS670S2L H6327, SP000928950
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续540mA
漏源接通状态电阻0.65ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSS138N-H6327是一款N沟道小信号MOSFET, 符合AEC-Q101标准.
- 增强模式
- 雪崩级别
- 逻辑电平
- dV/dt额定值
- 无卤素, 绿色设备
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
540mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.65ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000054