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BSO615NGXUMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSO615NGXUMA1复制
库存编号
复卷3514403RL
切割卷带3514403
产品范围SIPMOS Series
也称为BSO615N G, SP005353857
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSO615NGXUMA1复制
库存编号
复卷3514403RL
切割卷带3514403
产品范围SIPMOS Series
也称为BSO615N G, SP005353857
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道2.6A
连续漏极电流 Id P沟道2.6A
漏源通态电阻N沟道0.12ohm
漏源导通电阻P沟道0.12ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围SIPMOS Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
2.6A
漏源导通电阻P沟道
0.12ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
SIPMOS Series
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
2.6A
漏源通态电阻N沟道
0.12ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005