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BSO080P03SHXUMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, 表面安装
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| 500+ | CNY6.810 (CNY7.6953) |
| 1000+ | CNY6.090 (CNY6.8817) |
| 5000+ | CNY5.970 (CNY6.7461) |
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产品概述
The BSO080P03S H is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Logic level
- Avalanche rated
- Qualified to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
12.6A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.79W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
6700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536