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BSD840NH6327XTSA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.580 | CNY7.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
| 50+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 250+ | CNY0.867 (CNY0.9797) |
| 1000+ | CNY0.591 (CNY0.6678) |
| 5000+ | CNY0.465 (CNY0.5254) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSD840NH6327XTSA1
库存编号
复卷2443479RL
切割卷带2443479
也称为BSD840N H6327, SP000917654
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道880mA
连续漏极电流 Id P沟道880mA
漏源通态电阻N沟道0.27ohm
漏源导通电阻P沟道0.27ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSD840N H6327 is a N-channel Small Signal Transistor for DC-to-DC converters, eMobility, on-board charger and telecom applications.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
880mA
漏源导通电阻P沟道
0.27ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
880mA
漏源通态电阻N沟道
0.27ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005