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产品概述
Infineon的BSC350N20NSFDATMA1是一款200V OptiMOST™3 N沟道功率MOSFET，采用8引脚TDSON封装。这款新的OptiMOS™快速二极管（FD）最新一代功率MOSFET针对体二极管硬换向、硬开关行为进行了优化，具有业界最低的Rds(on)、Qg和Qrr，系统可靠性最高，系统成本降低，效率和功率密度达到最高，且产品易于设计。它是硬开关应用的完美选择，如电信、工业电源、D类音频放大器、48V至110V系统的电机控制和直流至交流变频器。
- 优秀的栅极电荷x RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低导通电阻RDS (on)
- 适用于高频开关和同步整流应用
- 漏源电压VDS为200V
- 最大RDS(on)为35mohm，连续漏极电流ID为35A
- 工作温度范围: -55°C到175°C
- 功耗: 150W
- 最大栅极源电压VGS为20V
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536