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BSC190N15NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY11.290 | CNY56.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY11.290 (CNY12.7577) |
| 50+ | CNY10.160 (CNY11.4808) |
| 250+ | CNY9.560 (CNY10.8028) |
| 1000+ | CNY8.880 (CNY10.0344) |
| 3000+ | CNY8.280 (CNY9.3564) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC190N15NS3GATMA1复制
库存编号
复卷2432711RL
切割卷带2432711
也称为BSC190N15NS3 G, SP000416636
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散125W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSC190N15NS3 G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET, 非常适用于高频率开关与同步整流。与竞争产品相比, 该器件的RDS (ON)降低了40％, 品质因数 (FOM)降低了45％。这些特性的改进开辟了新的可能性, 例如从引线封装转变为SMD封装, 或者用一个部件部件替换两个旧部件。
- 优秀的开关性能
- 业界最低的RDS (ON)
- 极低的Qg与Qgd
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- MSL1 rated 2
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 产品易于设计
- 正常电平
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BSC190N15NS3GATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003175