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BSC077N12NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY17.990 | CNY89.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY17.990 (CNY20.3287) |
| 50+ | CNY14.100 (CNY15.933) |
| 250+ | CNY11.820 (CNY13.3566) |
| 1000+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
| 3000+ | CNY10.220 (CNY11.5486) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC077N12NS3GATMA1
库存编号
复卷2432710RL
切割卷带2432710
也称为BSC077N12NS3 G, SP000652750
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds120V
电流, Id 连续98A
漏源接通状态电阻7700µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散139W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSC077N12NS3 G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET，同时具有业界最低的导通电阻和最快的开关行为，可以在广泛的应用中实现出色的性能。120V OptiMOS™技术为优化解决方案提供了新的可能性。
- 优秀的开关性能
- 业界最低的RDS (ON)
- 极低的Qg与Qgd
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- MSL1 rated 2
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 产品易于设计
- 目标应用符合JEDE标准
- 无卤素, 绿色设备
- 适用于高频开关和同步整流应用
- 正常电平
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
98A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
139W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
7700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000156