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BSC076N06NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.460 | CNY22.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.460 (CNY5.0398) |
| 50+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 250+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC076N06NS3GATMA1复制
库存编号
复卷2443422RL
切割卷带2443422
也称为BSC076N06NS3 G, SP000453656
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻7600µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSC076N06NS3 G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET, 适用于开关模式电源 (SMPS)中同步整流应用. 可用于广泛的工业应用, 包括太阳能微逆变器, 快速开关DC-DC转换器等.
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- 极低导通电阻RDS (on)
- 非常适合快速开关应用
- MSL1级别
- 最高的系统效率
- 需要较少的并联
- 增加功率密度
- 非常低的过冲电压
- 优秀的热阻
- 正常电平
- 100％经过雪崩测试
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
7600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BSC076N06NS3GATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00381