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BSC039N06NSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TDSON, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.630 | CNY43.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.630 (CNY9.7519) |
| 50+ | CNY7.770 (CNY8.7801) |
| 250+ | CNY7.310 (CNY8.2603) |
| 1000+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 3000+ | CNY6.330 (CNY7.1529) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC039N06NSATMA1复制
库存编号
复卷2480737RL
切割卷带2480737
也称为BSC039N06NS, SP000985386
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻3900µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- N-channel OptiMOS ™ power transistor
- Optimized for high performance SMPS
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
3900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSC039N06NSATMA1 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000177