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BSC028N06NSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY12.650 | CNY63.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.650 (CNY14.2945) |
| 50+ | CNY11.390 (CNY12.8707) |
| 250+ | CNY10.710 (CNY12.1023) |
| 1000+ | CNY9.960 (CNY11.2548) |
| 3000+ | CNY9.280 (CNY10.4864) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC028N06NSATMA1复制
库存编号
复卷2432704RL
切割卷带2432704
也称为BSC028N06NS, SP000917416
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻2800µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散83W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSC028N06NS 是一款 60V N 沟道功率 MOSFET，专为服务器、台式机和平板电脑充电器等开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流应用而优化。该 MOSFET 的 RDS(on) 比同类器件低 40%。大幅降低的栅极电荷和输出电荷可实现高系统效率和功率密度。 OptiMOS™ 功率 MOSFET 非常适合高频开关和 DC-DC 转换器。
- 最高系统效率
- 减少并联需求
- 更高的功率密度
- 节省空间
- 极低的电压过冲
- 卓越的耐热性
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BSC028N06NSATMA1 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000172